二极管的类型还是比较多的，有点接触型、面接触型、硅平面接触型。具体怎么个性能和用法小编就不和大家详细的介绍了，感兴趣的你们可以在网上查一查。

  做过电路实验的小伙伴在实验室的试验箱上应该看到过，只是可能不知道是什么而已，最常用的就是那个黑色圆柱体形的元器件，上面有一些白色的字，是参数，那个就是半导体二极管了。

  我们会发现，接正向电压时，开始的一段没有电流值或者说电流很很很小，近似为0，当电流开始由0有所增大的时候，这个点对应的电压我们叫它“开启电压”或“阈值电压”，用Uth表示。

  硅材料二极管的开启电压约是0.5V，锗材料二极管的开启电压约是0.2V。

  正向电压继续增大，电流也开始像指数一样暴涨，差不多为一条垂直线时，这样一个时间段的电压叫它“正向导通电压”。

  这里要注意了小伙伴们，“开启电压”和“正向导通电压”可不是一个东西，“开启电压”，是让我们也可以看见有明显的电流出现了；而“正向导通电压”是电流再怎么变，电压也几乎不变的状态了，二者间的区别还是很明显的。

  “正向导通电压”，硅的一般0.60.8V样子，锗的就是0.10.3V的样子，到后面我们大家常常用到这个电压，一般的我们最常用硅0.7V，锗0.3V。

  反向加电压，也是有电流存在的，但是，特别小，硅管小于0.1uA，锗管大一点，几十uA。

  如果反向电压已知增大，那么电流会在某一电压点下急剧升高，会发生“二极管击穿”，该点电压我们用UBR表示。不同的管子，击穿电压还不一样，差别也很大。

  4、最高工作频率（fM）：也叫上限频率，和这个PN结的结电容有关，超过了这个频率，二极管的导电性能就会变得很差。

  前提是二级管在电路中导通了，然后电路上的其他元件的电压比二级管两端电压大多了，而且，二级管截止时的反向电流也比其他元件小的多。

  这个时候，我们就忽略二级管的正向压降和反向电流，单纯的认为就是一个“正向的开关”。正向导通，反向截止。

  在理想模型的基础上，等效再加个直流电压源，用Uon表示，硅材料的0.7V，锗的就是0.3V。

  补充一个知识点：二极管伏安特性曲线表达式（I=Is（e^u/UT-1）），没必要记，知道就欧了。

  如果只考虑直流导通状态下的话，一个电压对应一个电流，这个点我们叫“直流工作点”或“静态工作点”，用Q表示。UDQ和IDQ。

  这个时候我们加上正弦的交流小信号，那么小信号带给这个Q点的影响就是正弦的波动。正弦量是变的对吧，没错。

  我们看下面的图，在交流小信号的影响下，横坐标我们取正弦电压的最大幅值差，纵坐标取交流信号产生的电流下最大幅值差。构成一个直角三角形，斜边斜率，就是这一个交流影响下的等效电阻，用rd表示。

  这个有点类似叠加定理，但又不完全是。我们得先算出静态工作点下的电流IDQ，单独再算交流产生的电流时，这样一个时间段的二极管就是前面等效计算的电阻rd了。

  声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

  电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，

  。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还能够使用金、钼、镍、钛等材料。其

  广泛应用于各种电子科技类产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明

  同时放在脑里。能够理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。

  真空管里有整流特性和爱迪生效果是1884年。其实在这8年之前的1876年已发现了硒的整流作用。利用

  真空管里有整流特性和爱迪生效果是1884年。其实在这8年之前的1876年已发现了硒的整流作用。利用

  。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还能够使用金、钼、镍、钛等材料。其

  、清晰度高、电压低（1.5～3V）、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的

   第一节 学习要求 （1）了解

  主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的

  常见外形最右侧的，下面是一个螺丝。这种适用于大电流的场合，当电流比较大的时候电磁感应产生的外应力很大，所以要螺丝固定。

  （如锗）熔接后做出相应的电极引线，再外加管壳密封而成。其结构图如图（a

  工作原理、特性及应用是什么？LED的特性是什么？LED显示器的参数是什么？LED显示器的应用指南有哪些？

  的常见参数有：(1)波长：即激光管工作波长，目前可作方向张开的角度，一般在

  真的了解它的应用领域以及选型时要考虑哪些重要参数吗？让我们来了解PS2045L肖特基

  是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基

  者有啥不一样的区别?谢谢！[此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]

  ，击穿电压高、反向漏电流小、高温性能好，大多数都用在各种电源整流电路中。根据定义可知，瞬态

  。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复

  。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压

  有问题，但是不建议这么用，因为超过额定值，厂家就不会保证其可靠性，出了问题就是

  的问题了。而且很多电源设计公司，为了保障可靠性，还会降额设计。3. 什么是

  相比，具有体积小、功耗低、发光均匀、稳定、响应速度快、寿命长和可靠性高等优点，被广泛应用在所有电子仪器、音响设备、计算机等作电流指示

  ，它一般是采用轴向塑料封装，主要使用在于10--1000MHz高频电路或者开关电源电路当中作可调衰减器，起到限幅

  ，其主要特征是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速

  中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从

  ，其特长是开关速度很快，反向恢复时间能小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流

  ;;快恢复;;软特性;;结构【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-009【正文快照】：1前官在诸多的电力

  ，其特长是开关速度很快，反向恢复时间能小到几个纳秒，正向导通压降仅

  ，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。2.

  门电路1. 概述1.1 门电路1.2 正负逻辑系统1.3 高低电平的实现1.3.1 开关电路实现高低电平1.3.2 互补开关电路1.4 数字电路概述2.

  电流IF:在规定的使用条件下，在电阻性负载的正弦半波整流电路中，允许连续通过

  要求使用散热片，它的，F指的是带有规定散热片的条件下的数值。②正向电压降vF

  和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征

  。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky

  本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-7-22 11:08 编辑 紫外

  在化学、生物、医学和军事领域具有广泛的应用，目前这样一种材料的内量子效率虽然可达到80%，但

  具有更小的结面积和更低的结电容，从而可提高电路性能。关于MACOMMACOM是一家新生代

  ）正向接通（电阻值很小），其他的是用来分流保护作用的，请问这之中的电容和反向

  一样，这一点在选用时应加以注意。对要求比较高的电路，选用前应对稳压值进行仔细的检测。对于过电压保护的稳压

  以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基

  。它的特点是反向恢复时间很短，其值可小到几纳秒，而工作电流却可达到儿千安培。肖特基

  。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还能够使用金、钼、镍、钛等材料。其

  Diode:也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型

  集成电路Al内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基

  。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流

  正如其三角形符号所表示的，只能在一个方向上传输电流，在相反方向则会阻止电流及电压。该理论是基于

  。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流

  （SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。与普通的

  。制造者先生成N型硅晶体，然后把它突变成P型晶体，用玻璃或者塑料将结合的晶体封装。用这些结合在一起的硅片制

  晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。 不过，北京南电科技像

  。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复

  的分类可分为单向和双向，这两种具体是怎样的呢？单向与双向保护：单向和双向ESD